CMPA2735075F High Electron Mobility Transistor (HEMT) 模型预览

GrabCAD 模型信息

CMPA2735075F High Electron Mobility Transistor (HEMT) · 模型 267579

作者:Denys Chernenko

Cree’s CMPA2735075F is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). Designed by SOLIDWORKS 2016

格式
Rendering、STL、STEP / IGES、Other、SOLIDWORKS
分类
Aerospace、Components、Electrical
标签
gan、microwave、transistor、cmpa2735075f、hemt
数据更新
2026-10-25T03:26:45Z
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